Diode spice modeling 방법 (1)

 

 

diode spice modeling 방법에 대해서 알아보려고 한다.

 

예제로 사용할 다이오드는 ERA82-004로 하겠다. 

굳이 해당 모델을 예제로 잡은 것은

당장 이 다이오드를 모델링해야하기 때문이다...

 

 

우선 다이오드 모델링에 필요한 요소가 어떠한 것들이 있는지 알아보자. 

 

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다이오드의 완벽한 모델링을 하기 위해서는 아래의 parameter를 모두 기입하는 것이 좋으나,

현실적으로 모두 기입하기 힘든 면이 있다.

 

따라서 중요한 parameter만 입력을 하고, 나머지는 입력하지 않고 사용을 한다. 

입력하지 않은 항목에 대해서는 default 항목이 기입된 것과 같다.

 

	Symbol	Name	Parameter	Units	Default
1	IS	IS	Saturation current (diode equation)	A	1.00E-14
2	RS	RS	Parsitic resistance (series resistance)	Ω	0
3	n	N	Emission coefficient, 1 to 2	-	1
4	τD	TT	Transit time	s	0
5	CD(0)	CJO	Zero-bias junction capacitance	F	0
6	φ0	VJ	Junction potential	V	1
7	m	M	Junction grading coefficient	-	0.5
	-	-	0.33 for linearly graded junction	-	-
	-	-	0.5 for abrupt junction	-	-
8	Eg	EG	Activation energy:	eV	1.11
	-	-	Si: 1.11	-	-
	-	-	Ge: 0.67	-	-
	-	-	Schottky: 0.69	-	-
9	pi	XTI	IS temperature exponent	-	3
	-	-	pn junction: 3.0	-	-
	-	-	Schottky: 2.0	-	-
10	kf	KF	Flicker noise coefficient	-	0
11	af	AF	Flicker noise exponent	-	1
12	FC	FC	Forward bias depletion capacitance coefficient	-	0.5
13	BV	BV	Reverse breakdown voltage	V	∞
14	IBV	IBV	Reverse breakdown current	A	1.00E-03
15	TNOM	TNOM	parameter measurement temperature	deg C	27

 

우선 이번 글은 parameter의 종류까지만 설명을 했다. 

 

다음 글에서는 위의 15가지 Parameter 중 Is, Rs, N 에 대해 간략히 더 알아보려고 한다. 

 

 

to be continue..